Исследование многокомпонентных наноструктурных (Ti-Zr-Hf-V-Nb)N покрытий ядерно-физическими методами анализа до и после термического отжига [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 5. - С. 41-50. - Библиогр.: c. 49-50 (35 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): дефекты -- многокомпонентные наноструктурные покрытия -- многокомпонентные покрытия -- наноструктурные покрытия -- сегрегация -- твердость многокомпонентных наноструктурных покрытий -- термический отжиг -- термодиффузия атомов Аннотация: С помощью различных взаимодополняющих методов элементно-структурного анализа, таких, как медленный пучок позитронов (SPB), микропучок протонов (ц-PIXE), микро- и нанопучок электронов (EDS- и SEM-анализ), метод фазово-структурного анализа XRD, метод « - sin{2}» измерений напряженно-деформированного состояния (рентгеновская тензометрия), исследованы многокомпонентные, наноструктурные покрытия из (Ti-Zr-Hf-V-Nb) N толщиной 1, 0-1, 4 мкм, полученные методом Саthodic - Arc - Vapor - Deposition при температуре синтеза 250-300 °С. В данных покрытиях были изучены элементный состав, микроструктура, остаточные напряжения в нанозернах, профили распределения дефектов и атомов по глубине и на поверхности покрытия в 3D-представлении, исследован фазовый состав, напряженно-деформированное состояние, текстура покрытий до и после отжига при Т[отж] = 600 °С и времени отжига = 30 мин. Показано, что можно в значительной степени повысить устойчивость рассматриваемых покрытий к окислению при высокотемпературном отжиге образованием значительного упругого напряженно-деформированного состояния сжатия в покрытии. Было обнаружено перераспределение элементов и дефектов, их сегрегация вблизи границ раздела интерфейсов, вокруг зерен и субзерен за счет термостимулированной диффузии и окончания процесса спинодальной сегрегации, без значительного изменения среднего размера нанозерен. Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Береснев, В. М.; Бондарь, А. В.; Каверин, М. В.; Пономарев, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |