Елисеева, С. В. Локализация поля в одномерной фотонно-кристаллической структуре на дефекте инверсионного типа [Текст] / С. В. Елисеева [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 72-77 : рис. - Библиогр.: c. 77 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): локализация электромагнитного поля -- фотонно-кристаллические структуры -- фотонные кристаллы Аннотация: Исследуется модификация спектра пропускания и распределения волнового поля в одномерном фотонном кристалле с одиночным и двойным дефектом инверсионного типа. Показано, что при наличии дефекта в зоне непропускания бездефектного кристалла образуется узкая мини-зона пропускания. При этом в области дефекта происходит существенная локализация поля, зависящая от типа дефекта, его положения и числа полных периодов в структуре. Формирование двойного дефекта инверсии приводит к появлению в спектре двух дефектных мини-зон и перераспределению волнового поля в структуре. Доп.точки доступа: Семенцов, Д. И.; Остаточников, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |