Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.). Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды [Текст] = Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Eltctrodes / Н. К. Трубочкина> // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 6. - С. 55-63 : 5 табл. - Библиогр.: с. 63 (15 назв. ). - Продолж. Начало: N 5
Рубрики: Вычислительная техника Архитектура вычислительных машин в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- p-n переходы -- электрическое воздействие -- моделирование 3D структуры -- 2D-моделирование -- 3D-моделирование -- топологические размеры Аннотация: Приводятся результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды. Промоделированы 17 основных параметров наноструктур в 2D и 3D реализациях. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |