Войцеховский, А. В. Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ]> // Известия вузов. Физика. - 2006. - N 9. - С. . 25-28. - Библиогр.: с. 25-28 (7 назв. ). - RUMARS-izph06_000_009_0025_1
Рубрики: Энергетика--Энергетические ресурсы Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- радиационные дефекты -- динамика накопления -- ионное легирование -- накопление радиационных дефектов -- имплантация эпитаксиальных пленок Аннотация: Проведено исследование динамики накопления электрически активных радиационных дефектов при ионном легировании эпитаксиальных пленок Cd[x]Hg[1-x]Te с различным распределеним состава материала в области внедрения имплантанта. Образцы эпитаксиальных пленок облучались ионами бора при комнатной температуре в непрерывном режиме в диапазоне доз 10{11} - 3*10{15} см{-2}, энергий 20-150 кэВ, плотности тока ионов = 0, 001-0, 2мкА*см{-2}. Обнаружено, что натуральный логарифм скорости введения электрически активных радиационных дефектов линейным образом зависит от состава материала эпитаксиальной пленки в области среднего проецированного пробега имплантируемых ионов. Анализ полученных экспериментальных данных показывает, что динамика накопления электрически активных радиационных дефектов определяется составом материала эпитаксиальной пленки в области внедрения имплантируемых ионов. Доп.точки доступа: Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Григорьев, Д. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Михайлов, Н. Н.; Талипов, Н. Х. |