Колесникова, А. А. Использование методов TLM для оценки сопротивления омических контактов [Текст] / А. А. Колесникова, А. Н. Комов> // Вестник Самарского государственного университета. - 2006. - N 2. - С. . 155-160. - Библиогр.: с. 159. - s, 2006, , rus. - RUMARS-vssu06_000_002_0155_1. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, N 2. - С. 155-160. - vssu06_000_002_0155_1, 2, 155-160
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- полупроводниковые приборы -- TLM-метод -- метод TLM Аннотация: Предложена разновидность конфигурации контактных площадок с радиальной геометрией, имеющая ряд преимуществ при определении переходного сопротивления омических контактов, изготовленных к слоям полупроводника с высокой проводимостью. Рассмотрены различные варианты ее применения в методе TLM. Полученные результаты использованы при исследовании удельного сопротивления омических контактов, изготовленных на основе никеля к эпитаксиальным пленкам SiC/Si с электронной проводимостью, полученным химическим газотранспортным методом в открытой трубе с использованием кристаллических кремния и углерода. Доп.точки доступа: Комов, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |